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普罗米修斯

“钼”成300层+NAND必选项 机构:沉积设备迎10亿美元增量市场_我的网站

兵临城下

一 |     [전북=뉴시스] 무주 항공ㆍ우주산업 투자선도지구 사업 조감도. *재판매 및 DB 금지[무주=뉴시스]최정규 기자 = 전북특별자치도는 총사업비 3488억원 규모의 '무주 항공·우주산업 투자선도지구' 지정과 산업단지 조성을 뒷받침할 전담 행정지원 체계를 가동했다고 26일 밝혔다.전북도는 '무주 투자선도지구 신속행정지원 TF팀'을 구성하고, 첫 회의를 시작으로 운영에 들어갔다. 대규모 예산과 복잡한 인허가 절차가 뒤따르는 사업인 만큼, 부서와 기관에 흩어져 있던 협의 창구를 하나로 모아 선제적으로 대응하겠다는 취지다.TF팀은 사업 성패를 가를 산지전용 규제 완화와 산업단지 지정 협의 등을 한번에 풀어내는 역할을 맡는다. 도 건설정책과장을 팀장으로 ▲총괄운영반(도 지역개발팀) ▲사업추진반(무주군·현대로템㈜·총괄PM) ▲사업지원반(도 관계 부서 8개 팀) 등 3개 반 총 16명으로 꾸려졌다. 사업지원반에는 도시계획·기업유치·산단조성·산림보호·농지·자연복구지원·물류·유산자원팀이 참여한다. 운영 기간은 이달부터 지구 지정과 산단 착공 때까지로, 매월 정기 회의를 열고 현안이 생길 때마다 수시 회의를 소집한다.이번 회의에서는 사업 추진 현황과 행정절차 일괄 추진 로드맵을 공유하고, 산지전용 완화 방안과 부서·기관별 역할 분담, TF팀 운영 체계를 확정했다.도는 산지전용 문제는 법에서 평균경사 등 허가기준을 자치단체조례로 완화 할 수 있으므로 이에 대한 추진방안을 검토하고, 편입 토지 매입과 사업시행 특수목적법인(SPC) 구성 등 쟁점 사안도 조기에 조율할 방침이다.TF팀장인 김용수 건설정책과장은 "무주 항공·우주산업 투자선도지구는 첨단 미래산업 생태계와 지역 균형발전을 이끌 핵심 거점"이라며 "관계 부서와 무주군, 선도기업인 현대로템이 유기적으로 협력해 행정절차를 단축하고 도민이 체감하는 성과를 내겠다"고 말했다.。

二 |       当地时间8月23日,半导体行业研究机构SemiAnalysis发文称,NAND闪存制造正从钨转向钼,因为当NAND来到300层以上,钼是必选项。image  SemiAnalysis分析,3D NAND闪存堆叠层数突破300层后,钨字线在电阻、化学兼容性和深孔填充三方面均触及物理极限,钼成为强制替代材料。三星已于2024年量产,美光2025年跟进,SK海力士计划2026年底推出375层钼工艺产品。其估计,钼在NAND总产能中的占比将从2025年的中个位数百分比,增长至2027年的约30%。  更进一步的,该机构提出,钼沉积设备将在明年迎来超10亿美元的新增市场。image  该机构称,每一次从钨到钼的转换,都意味着需要新的沉积设备。

三 | SemiAnalysis估计,仅2027年一年,NAND钼沉积设备的销售额就将超过10亿美元,并随着DRAM和逻辑芯片的跟进,到2030年增长至约20亿美元/年。  受益格局方面,Lam Research(泛林集团)最先获益,TEL(东京电子)紧随其后;AMAT(应用材料)、ASMI(ASM国际)及Naura(北方华创)则更多受益于后续DRAM和逻辑芯片的转型浪潮。SemiAnalysis表示,完整的细分市场层面测算已纳入其前道设备(WFE)模型。  钼渗透率在高层数NAND中提升,本质是为延续NAND单位Bit成本下降曲线。

四 |   300层NAND主要在结构上升级,聚焦超高深宽比通道孔刻蚀、多次Stack堆叠、晶圆翘曲控制以及Overlay精度控制。

五 |   375层乃至400层以后,材料亟需升级,因钨字线会因为字线间距通道孔缩小面临RC延迟快速恶化、WF残氟导致介质损伤、漏电失效率提升以及填充缺陷放大的问题。而钼凭借更低电阻率、无氟前驱体及无需阻隔层等优势,有望改善RC性能与器件可靠性,为字线和存储孔缩放提供工艺余量,从而延续高层数NAND的成本下降曲线。  中银证券表示,SK海力士已完成375层3D NAND生产验证并计划2026年底量产,拟采用钼材料替代钨制作字线,继三星在286层第九代3D NAND中率先导入钼工艺后,两大存储龙头相继切换,钼替代钨趋势确立。  然而,钼的材料加工更为复杂,因为必须以气体形式输送,且前驱物在室温下为固体,需要加热器以确保流动稳定性。  基于此,300层以上3D NAND字线由钨切换为钼,并不是简单更换靶材或者更换气体材料,而是前驱体供给、ALD沉积腔体、刻蚀、清洗、尾气处理整套工艺链条的重构,原有钨CVD产线硬件无法直接复用,将直接推动晶圆厂资本开支上行,同时设备、特种材料、零部件均迎来变化。  爱建证券表示,钼导入本质是一次全流程工艺重构,设备链受益有望沿“沉积及前驱体输送→CMP及清洗→刻蚀→量检测”路径传导,工艺难点由沉积向后处理环节延伸。其中——  沉积:成熟的WF钨工艺,Mo沉积需重新建立高深宽比结构下的填充与缺陷控制工艺窗口,同时有望减少阻隔层使用,带动沉积设备及配套工艺升级;  输送:Mo前驱体通常采用低挥发性固态源,与传统WF气态前驱体体系差异较大,需要新增气化装置、温控管路及精密供气系统,以保障前驱体稳定输送;  CMP:Mo材料的氧化及表面化学特性不同于传统金属体系,需重新开发CMP研磨液和研磨垫,以满足平坦化、去除速率及缺陷控制要求;  清洗:Mo导入后残留物及氧化物体系发生变化,高深宽比结构下金属残留和污染控制难度提升,有望推动相关湿法清洗设备及配套化学品验证导入;  刻蚀环节则需重新建立适配钼材料的工艺窗口,且3DNAND层数持续提升下,刻蚀选择性、侧壁形貌控制及层间均匀性要求进一步提高,有望带动相关刻蚀设备升级需求;  量检测:Mo量产还需新增膜厚均匀性、填充缺陷、金属残留及电学可靠性等监控项目,有望带动薄膜量测、缺陷检测及电性测试等设备需求增长。  该机构称,NAND工艺迭代核心从单纯堆叠层数转向材料—设备—工艺协同创新,新材料导入将持续催生沉积、刻蚀、清洗等关键设备迭代升级,Mo字线导入将推动沉积、刻蚀、清洗等关键环节工艺升级,相关设备及零部件厂商有望受益。(文章来源:科创板日报)。

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Published on:15:44:41


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